Samsung: o desenvolvimento do eUFS 3.0 de 512 GB para smartphones topo de gama foi iniciado

Samsung começou a produzir em massa a primeira memória flash eUFS 3.0 (Universal Flash Storage 3.0 incorporado) de 512GB. A Samsung é uma escolha mais do que compreensível, um desenvolvimento natural do que é a evolução tecnológica dos smartphones de nova geração. Nova memória flash da Samsung serå capaz de atingir novos padrÔes de desempenho para o mercado de smartphones, fala-se de desempenho até 20 vezes superior ao de um MicroSD normal e capaz de quadruplicar os obtidos de um SSD SATA 3.

As primeiras memĂłrias eUFS foram apresentadas pela gigante coreana em 2015, seguidas pelo corte de 512 GB em 2017 e os eUFS 2.1s de 1 TB de memĂłria foram lançados posteriormente no mercado. Pelo que pode ser visto no grĂĄfico, o eUFS 2.1 ainda defende bem com uma leitura que atinge 1000 MB / se uma fase de escrita de 260 MB / s. No entanto, a comparação com a nova geração traz diferenças importantes: as novas O eUFS 3.0 pode duplicar os resultados obtidos em 2.1, registrando uma taxa de transferĂȘncia de 2100 MB / s de leitura e 410 MB / s por escrito.

TambĂ©m dignos de nota sĂŁo os dados surgidos sobre leitura e escrita aleatĂłria, que eles alcançam respectivamente 63.000 e 68.000 IOPS. As novas memĂłrias incorporadas Universal Flash Storage 3.0 de 512 GB da Samsung estarĂŁo disponĂ­veis no final deste mĂȘs, juntamente com uma variante de 128 GB. A mesma empresa coreana anunciou que os outros dois cortes, os de 256 GB e 1 TB, farĂŁo sua estreia atĂ© o final de 2019.

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