Da Samsung, novo armazenamento ultra-r√°pido para a √ļltima gera√ß√£o de smartphones

Samsung anunciou que iniciou a produ√ß√£o em volume de Mem√≥rias anteriores do eUFS 3.1 de 512 GB, especificamente para uso em conjunto com os smartphones de √ļltima gera√ß√£o no mercado. Al√©m dessa capacidade, a Samsung planeja disponibilizar tamb√©m cortes mais baixos, de 256 GB e 128 GB.

Essas s√£o mem√≥rias capazes de dar um salto n√≠tido no desempenho em compara√ß√£o com o eUFS 3.0 dispon√≠vel at√© o momento: a velocidade de grava√ß√£o de dados, por exemplo, aumentou at√© 3 vezes. Mem√≥rias desse tipo ser√£o particularmente √ļteis em smartphones de nova gera√ß√£o, para os quais s√£o esperados recursos de grava√ß√£o de v√≠deo com resolu√ß√£o de 8K.

A Samsung declara um valor de pico, na grava√ß√£o seq√ľencial de dados, de at√© 1.200 MB / s para essas novas mem√≥rias. Os dados de grava√ß√£o aleat√≥ria s√£o 60% maiores do que os obtidos nos m√≥dulos eUFS 3.0 atualmente usado em smartphones de √ļltima gera√ß√£o no mercado.

Nada muda em relação à velocidade de leitura sequencial dos dadosi, com um valor de 2.100 MB / s, comparado às memórias da geração anterior. O pacote de dados técnicos inclui valores de 100.000 IOPs para leitura de 70.000 IOPs para gravação de dados.

Para quantificar o impacto gerado por essas novas solu√ß√Ķes de armazenamento nos principais smartphones, podemos seguir o exemplo fornecido pela Samsung: a transfer√™ncia de 100 Gbytes de dados ocorre em cerca de 90 segundos, contra um valor de mais de 4 minutos necess√°rio para a mesma opera√ß√£o por um smartphone equipado com mem√≥ria eUFS 3.0.